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Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Compara
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB vs Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
45
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
42
45
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1979
1992
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
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