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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
51
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.8
9.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
51
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
9.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2314
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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