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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
62
73
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
62
读取速度,GB/s
6.3
18.0
写入速度,GB/s
5.2
9.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2018
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
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