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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
73
左右 -181% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
26
读取速度,GB/s
6.3
18.8
写入速度,GB/s
5.2
15.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3733
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Frequency (Mhz) *
calculate
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
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