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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
73
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
33
读取速度,GB/s
6.3
18.7
写入速度,GB/s
5.2
12.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3153
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
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