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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
73
左右 -217% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
23
读取速度,GB/s
6.3
16.9
写入速度,GB/s
5.2
13.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3081
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
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Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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