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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
73
左右 -181% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
26
读取速度,GB/s
6.3
15.4
写入速度,GB/s
5.2
11.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2758
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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