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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
52
左右 -58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
4200
左右 6.1 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
33
读取速度,GB/s
2,614.5
18.5
写入速度,GB/s
1,145.9
13.8
内存带宽,mbps
4200
25600
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3341
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
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Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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