RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
52
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
4200
Intorno 6.1 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
33
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
25600
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
3341
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link