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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
73
左右 -181% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
26
读取速度,GB/s
6.3
13.8
写入速度,GB/s
5.2
9.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2456
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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