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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
比较
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
79
左右 56% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
949.1
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR2
PassMark中的延时,ns
35
79
读取速度,GB/s
15.7
3,209.0
写入速度,GB/s
11.8
949.1
内存带宽,mbps
21300
5300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
排名PassMark (越多越好)
2767
518
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB RAM的比较
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
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Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
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