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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
Compara
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Puntuación global
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
79
En 56% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
949.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR2
Latencia en PassMark, ns
35
79
Velocidad de lectura, GB/s
15.7
3,209.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
949.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2767
518
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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