RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
79
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
949.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
35
79
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
3,209.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
949.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
5300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
518
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link