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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
37
读取速度,GB/s
14.4
14.7
写入速度,GB/s
9.5
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2946
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F24UB16GV 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
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