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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
13.2
18.4
写入速度,GB/s
9.4
13.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
3277
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston 9905701-020.A00G 16GB
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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