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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
73
左右 -152% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
29
读取速度,GB/s
6.3
18.5
写入速度,GB/s
5.2
14.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3434
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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