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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.5
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
5,022.9
10.4
写入速度,GB/s
1,597.0
5.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
1806
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
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