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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
73
左右 -284% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
19
读取速度,GB/s
6.3
20.0
写入速度,GB/s
5.2
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3383
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
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