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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
73
左右 -217% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
23
读取速度,GB/s
6.3
19.1
写入速度,GB/s
5.2
17.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3666
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
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