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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
73
左右 -181% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
26
读取速度,GB/s
6.3
19.4
写入速度,GB/s
5.2
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3515
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
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