RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
73
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
33
读取速度,GB/s
6.3
14.7
写入速度,GB/s
5.2
11.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2732
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link