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AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
73
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
33
读取速度,GB/s
6.3
14.7
写入速度,GB/s
5.2
11.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2732
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
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