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AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
6.3
17.5
写入速度,GB/s
5.2
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3575
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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