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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
60
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
34
读取速度,GB/s
5,082.2
15.9
写入速度,GB/s
2,381.6
13.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
2927
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
INTENSO 5641152 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
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