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AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
73
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
37
读取速度,GB/s
6.3
20.3
写入速度,GB/s
5.2
14.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3235
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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