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AMD R5316G1609U2K 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Maxsun MSD44G24Q0 4GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
66
73
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
66
读取速度,GB/s
6.3
15.5
写入速度,GB/s
5.2
7.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
1812
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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