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AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
73
左右 -232% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
22
读取速度,GB/s
6.3
18.1
写入速度,GB/s
5.2
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3254
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
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