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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
6.3
16.4
写入速度,GB/s
5.2
13.1
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3310
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
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