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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
53
73
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.3
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
53
读取速度,GB/s
6.3
10.3
写入速度,GB/s
5.2
7.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2356
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
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