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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
73
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
38
读取速度,GB/s
6.3
15.5
写入速度,GB/s
5.2
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2283
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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