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AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
6.3
17.5
写入速度,GB/s
5.2
16.1
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3758
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
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