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AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
73
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.3
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
37
读取速度,GB/s
6.3
12.0
写入速度,GB/s
5.2
6.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
1878
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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