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AMD R5316G1609U2K 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

总分
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AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

总分
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

差异 规格 评论

差异

AMD R5316G1609U2K 8GB 需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB 需要考虑的原因
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 73
    左右 -265% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.5 left arrow 6.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.8 left arrow 5.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    73 left arrow 20
  • 读取速度，GB/s
    6.3 left arrow 19.5
  • 写入速度，GB/s
    5.2 left arrow 15.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1309 left arrow 3483

AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较

Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
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内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
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