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AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
6.3
17.2
写入速度,GB/s
5.2
12.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3273
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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