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AMD R534G1601U1S 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
比较
AMD R534G1601U1S 4GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
总分
AMD R534G1601U1S 4GB
总分
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
68
左右 -183% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
6.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
24
读取速度,GB/s
6.5
15.7
写入速度,GB/s
4.7
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1209
2631
AMD R534G1601U1S 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
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