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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
14.7
15.0
写入速度,GB/s
9.2
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
2516
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
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Kingston 9905744-006.A00G 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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