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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.4
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
39
读取速度,GB/s
14.7
13.2
写入速度,GB/s
9.2
9.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
2489
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Mushkin 991586 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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