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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
12.3
8.9
写入速度,GB/s
8.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1946
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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