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Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
比较
Mushkin 996902 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
总分
Mushkin 996902 2GB
总分
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 996902 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
15
30
左右 50% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.7
20.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
14.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
15
30
读取速度,GB/s
20.6
21.7
写入速度,GB/s
14.0
16.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2566
3806
Mushkin 996902 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
INTENSO 5641160 8GB
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SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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