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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
14.7
17.2
写入速度,GB/s
9.2
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3116
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
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