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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
14.7
17.7
写入速度,GB/s
9.2
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3401
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
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