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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
8.9
18.5
写入速度,GB/s
5.9
15.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3794
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
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