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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
14.7
16.7
写入速度,GB/s
9.2
13.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3524
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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