RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
3524
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link