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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
14.7
16.9
写入速度,GB/s
9.2
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3192
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
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