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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
86
左右 69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
5.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
86
读取速度,GB/s
14.7
12.1
写入速度,GB/s
9.2
5.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
1220
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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