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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Kingston 9965596-019.B01G 4GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
7.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
39
读取速度,GB/s
14.7
7.6
写入速度,GB/s
9.2
7.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
1868
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
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