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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
11.8
19.6
写入速度,GB/s
8.0
16.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3909
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
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Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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