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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
14.7
16.5
写入速度,GB/s
9.2
13.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3072
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
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G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
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