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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

总分
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

总分
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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 66
    左右 45% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB 需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.5 left arrow 15
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    36 left arrow 66
  • 读取速度，GB/s
    15.0 left arrow 16.5
  • 写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 9.0
  • 内存带宽，mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2657 left arrow 1934

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
内存RAM
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
内存RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
内存RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
内存RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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Kingston 9905624-025.A00G 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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