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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
14.7
16.9
写入速度,GB/s
9.2
10.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3035
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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